プラズマクリーニングガス及びプラズマクリーニング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鈴木俊一郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002249780
Publication number (International publication number)：2003158123
Application date： Aug. 28, 2002
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】【解決手段】本発明に係るCVDチャンバー用プラズマクリーニングガスは、プラズマCVD装置によって基板に成膜処理を行った後の、CVDチャンバー内壁表面およびCVDチャンバー内に配置した部材表面上に堆積したケイ素含有付着物のクリーニング用ガスであって、該クリーニング用ガスが、100容量%のフッ素ガスであって、放電によりプラズマを発生させるフッ素ガスであることを特徴としている。【効果】濃度100容量%のフッ素ガスから放電によりプラズマを発生させてクリーニングガスとして用いると、極めて優れたエッチング速度が得られ、しかも、ガス総流量1000sccm、チャンバー圧400Paにおいても安定してプラズマを発生させることができるとともに、前記条件下においてもクリーニング均一性を確保できる。さらに、濃度が100%であるので、装置が複雑化せず、実用性に優れる。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD装置によって基板に成膜処理を行った後の、CVDチャンバー内壁表面およびCVDチャンバー内に配置した部材表面上に堆積したケイ素含有付着物のクリーニング用ガスであって、該クリーニング用ガスが、100容量%のフッ素ガスであって、放電によりプラズマを発生させるフッ素ガスであることを特徴とするCVDチャンバー用プラズマクリーニングガス。

IPC (2)：

H01L 21/31 , C23C 16/44

FI (2)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 J

F-Term (12)：

4K030DA06 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AB30 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC00 , 5F045EB06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-044469
非プラズマ式チャンバクリーニング法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-179886 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体製造装置のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-159481 Applicant：株式会社日立製作所

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