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J-GLOBAL ID:200903004921389656

磁気抵抗効果素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩佐 義幸
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992178740
Publication number (International publication number):1994029589
Application date: Jul. 07, 1992
Publication date: Feb. 04, 1994
Summary:
【要約】【目的】 磁気抵抗変化を大きくして高出力を得る。【構成】 基体1上に保磁力の異なる2種類の強磁性薄膜層2,3を交互に積層し、各積層磁性薄膜層間に非磁性薄膜層4を介在させた構造からなる磁性多層膜を用い、2種類の強磁性薄膜層2,3の磁化容易軸を検出磁界方向と平行とする。
Claim (excerpt):
基体上に保磁力の異なる2種類の強磁性薄膜層を交互に積層し、各積層磁性薄膜層間に非磁性薄膜層を介在させた構造からなる磁性多層膜を用いた磁気抵抗効果素子において、前記2種類の強磁性薄膜層の磁化容易軸が検出磁界方向と平行であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開平4-218982

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