Pat

J-GLOBAL ID：200903004921528885

半導体基板用の鋳造金属シール

Inventor： ジェームズ・ハワード・コヴェルII ,  ラニー・アール・ボルデ ,  デイビッド・リン・エドワーズ ,  ルイス・シグムンド・ゴールドマン ,  ピーター・アルフレッド・グルーバー ,  ヒルトン・ティー・トーイ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998109193
Publication number (International publication number)：1998308465
Application date： Apr. 20, 1998
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板およびチップ・キャリアにシールを施す新しい方式を提供する。【解決手段】 より具体的には、本発明は、チップ・キャリア上のチップに保護を提供するために多層金属シールを使用する構造および方法を包含する。この多層金属シールは、密封性および寿命の強化と環境保護の両方を可能にする。好ましい実施例の場合、多層金属シールは、モジュール用の低コストで高信頼性の密封シールを作成するために使用する2層のはんだ構造である。このはんだ構造は、キャップに取り付けられた厚い鋳造高融点温度領域と、基板をキャップにシールするための低融点温度領域からなる薄い相互接続領域とを有する。

Claim (excerpt)：

カバーと半導体基板との間に密封シールを設けるためのシール・バンドにおいて、前記カバーに固定された少なくとも1つの高融点の厚いはんだ壁面と、前記基板を前記高融点の厚いはんだ壁面に固定する少なくとも1つの第1の薄いはんだ相互接続層とを含み、前記第1の薄いはんだ相互接続層が前記高融点の厚いはんだ壁面より低い融点のはんだ材料から作られ、前記はんだシール・バンドがその層化構造を保持するように、リフロー時に前記第1の薄いはんだ相互接続層が前記高融点の厚いはんだ壁面にリフローしないシール・バンド。

IPC (2)：

H01L 23/10 ,  H01L 23/02

FI (2)：

H01L 23/10 B ,  H01L 23/02 C