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J-GLOBAL ID:200903004947074408

薄型樹脂封止半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 守 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992099313
Publication number (International publication number):1993299444
Application date: Apr. 20, 1992
Publication date: Nov. 12, 1993
Summary:
【要約】【目的】 半導体素子に切削溝を形成し、その切削溝をダイサポートに装着することにより、半導体ウエハ厚、リードフレーム厚を薄く、また金属細線の高さを低く抑制することなく、高さの低い薄型樹脂封止半導体装置を得る。【構成】 薄型樹脂封止半導体装置の製造方法において、半導体素子25の裏面に半導体素子固定溝23を形成し、その固定溝23をダイサポート29に装着し、配線を施し樹脂封止する。
Claim (excerpt):
リードフレームに半導体素子を搭載する薄型樹脂封止半導体装置の製造方法において、(a)前記半導体素子の裏面に半導体素子固定用切削溝を形成し、(b)該切削溝をダイサポートに装着し、(c)配線を施し樹脂封止することを特徴とする薄型樹脂封止半導体装置の製造方法。

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