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J-GLOBAL ID：200903004951924416
半導体用保護膜のエッチング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994098893
Publication number (International publication number)：1995099179
Application date： May. 12, 1994
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：
【要約】【構成】含フッ素脂肪族環構造を有するポリマーからなる半導体用保護膜のエッチング液として、一般式Rf-Rh、Rf-Rh-RfまたはRh-Rf-Rh(ただし、Rfは炭素数6〜12のポリフルオロアルキル基またはポリフルオロアルケニル基、Rhは水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはアルケニル基)で表される化合物を用いる。さらには、このエッチング後に、ポリフルオロ芳香族系溶剤からなるリンス液でリンスする。【効果】含フッ素脂肪族環構造を有するポリマーからなる保護膜にパターンを形成(エッチング)するにあたり、クラックの発生、ポリマー残渣の表面への付着のないウェットエッチング方法を提供できる。
Claim (excerpt)：
含フッ素脂肪族環構造を有する含フッ素ポリマーからなる半導体用保護膜のエッチング方法において、エッチング液として炭素数5〜30の含水素フッ素系溶剤からなるエッチング液を用いることを特徴とする半導体用保護膜のエッチング方法。
IPC (4)：
H01L 21/306
, C09K 13/08
, H01L 21/308
, H01L 21/312
