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J-GLOBAL ID：200903004958932333

幅の異なる素子間分離領域を有する半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991055874
Publication number (International publication number)：1993218191
Application date： Feb. 27, 1991
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 幅狭及び幅広の複数の溝型素子間分離領域を有する半導体装置を生産性高く製造する。【構成】 幅の狭い素子間分離領域2を、半導体基板1に形成した溝21を埋め込んでエッチバックすることにより形成し、幅の広い素子間分離領域3を、エッチバックのエッチングストップ層として設けたポリシリコン膜4をそのまま用いてこれを選択酸化することにより形成する。

Claim (excerpt)：

幅の狭い素子間分離領域と幅の広い素子間分離領域とを有する半導体装置の製造方法において、幅の狭い素子間分離領域は、半導体基板上に溝を形成してこの溝をCVD及びエッチバックで埋め込むことにより形成し、幅の広い素子間分離領域は、選択酸化により形成するとともに、前記溝は、半導体基板上にポリシリコン膜を設けた後形成し、前記幅の広い素子間分離領域は、このポリシリコン膜をそのまま用いてこれを選択酸化することにより形成することを特徴とする幅の異なる素子間分離領域を有する半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316