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J-GLOBAL ID：200903004968874625

プラズマ処理装置

Inventor： 渡辺 成一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991240897
Publication number (International publication number)：1993082477
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【構成】プラズマ処理装置において、ウェハ載置用電極5のウェハ載置部に誘電体5aを埋設した。そして、ウェハ6上に生成されるプラズマの密度分布に応じて、埋設する誘電体5aの厚みを場所ごとに変化させるように構成した。【効果】ウェハ上に入射するイオンのエネルギーを、場所ごとに調整することができるので、ウェハ上に生成されるプラズマが不均一な密度分布を有する場合でも、ウェハを均一にエッチング処理できるという効果がある。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生装置と減圧可能な処理室とガス供給装置と真空排気装置とウェハ載置用電極と高周波電源より成るプラズマ処理装置において、ウェハ載置用電極のウェハ載置部に誘電体を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-205719
  
• 特開平3-028370
  
• 特開平3-162592