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J-GLOBAL ID：200903004975892043

薄膜配線の製造方法、半導体装置及び薄膜配線製造装置

Inventor： 日野出 憲治 ,  横山 夏樹 ,  本間 喜夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992338819
Publication number (International publication number)：1994188241
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】低温で形成することができ、長寿命で信頼性の高い微細なアルミニウム薄膜を含む薄膜配線の製造方法を提供すること。【構成】単結晶シリコン基板111にアルミニウムを被着させ、単結晶アルミニウム薄膜又は基板に平行な面は一方位で面内では二つの方位のみが許される多結晶アルミニウム薄膜112を形成する。一方、シリコン基板11に設けられた半導体素子の上にシリコン酸化膜15とタングステンプラグ16とを形成し、これらの表面に、上記アルミニウム薄膜112を接着し、ついで単結晶シリコン基板111を除去し、アルミニウム薄膜112をシリコン基板11上に残す。アルミニウム薄膜112を所望のパターンとするのは、上記プロセスの後でも、或いは、予め単結晶シリコン基板111にアルミニウム薄膜112を形成した時点で行ってもよい。

Claim (excerpt)：

アルミニウム以外の材料からなる第1の単結晶基板にアルミニウムを被着させ、単結晶アルミニウム薄膜又は基板に平行な面は一方位で面内では二つの方位のみが許される多結晶アルミニウム薄膜を形成する第1の工程、第2の基板の上に設けられた所望の層の表面に、該単結晶アルミニウム薄膜又は該多結晶アルミニウム薄膜を接着する第2の工程及び上記第1の単結晶基板を除去する第3の工程を有すること特徴とする薄膜配線の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90

FI (2)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 N