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J-GLOBAL ID：200903004986084208

半導体チップの製造方法

Inventor： 西竹 宏
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998183177
Publication number (International publication number)：2000021906
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 簡略化された製造工程により、外形寸法の小さい半導体チップを製造する。【解決手段】 シートSに貼着されたウェーハWに対してスクライブ・ラインSLに沿った1回目の切断を行うことにより、隣接する半導体チップの間に隙間5を形成する。次に、これらの半導体チップをまとめて上記シートSごと金型にセットしてモールド樹脂を注入し、モールド樹脂層6でバンプ4の形成面を平坦に被覆すると共に、隙間5も充填する。次に、隙間5に充填されたモールド樹脂層6を目印としてダイシング・ホイールDWを用いた2回目の切断を行い、ウェーハWを再び個々の半導体チップC1に分割する。上記バンプ4は、このまま実装基板上へのフェイスダウン実装に使用できる。リードフレームを用いた組み立てやパッケージングは一切不要である。

Claim (excerpt)：

集積回路の形成された半導体基板の裏側に支持部材を貼着し、スクライブ・ラインに沿った1回目の切断により該半導体基板のみを表側から切断する第1工程と、前記1回目の切断により形成された個々の半導体チップの集合状態を維持したまま、隣接する該半導体チップ間の隙間も含めてこれら半導体チップの上面をモールド樹脂層で被覆する第2工程と、前記隙間に沿った2回目の切断により前記モールド樹脂層を切断して再び個々の半導体チップを形成する第3工程と、前記個々の半導体チップを前記支持部材から剥離する第4工程とを有することを特徴とする半導体チップの製造方法。

F-Term (7)：

5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA21 ,  5F061CB12 ,  5F061CB13 ,  5F061DA06 ,  5F061EA02