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J-GLOBAL ID：200903004987667541

半導体発光装置

Inventor： 田辺 英義 ,  小川 元一
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001055711
Publication number (International publication number)：2002261321
Application date： Feb. 28, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】p型クラッド層-活性層間における不純物の拡散を有効に防止して所望する発光特性を得ることができる、高生産性、高発光効率の半導体発光装置を提供する。【解決手段】単結晶シリコンから成る基板1の上面に、GaAs系の化合物半導体から成り、n型クラッド層4、活性層5及びp型クラッド層7を順次、積層して成る発光素子2を配設した半導体発光装置であって、前記発光素子2のp型クラッド層7-活性層5間に、GaAs系の化合物半導体を主成分とし、かつ炭素原子(C)を5×1018cm-3〜1×1020cm-3の濃度で含有する拡散抑制層6を介在させる。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコンから成る基板の上面に、GaAs系の化合物半導体から成り、n型クラッド層、活性層及びp型クラッド層を順次、積層して成る発光素子を配設した半導体発光装置であって、前記発光素子のp型クラッド層-活性層間に、GaAs系の化合物半導体を主成分とし、かつ炭素原子(C)を5×1018cm-3〜1×1020cm-3の濃度で含有する拡散抑制層を介在させたことを特徴とする半導体発光装置。

F-Term (10)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA36 ,  5F041CA48 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CB25