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J-GLOBAL ID：200903004988408744

コンデンサ、その形成方法、集積回路チップ及び半導体素子

Inventor： ピーター・リチャード・ダンクーム ,  ダニエル・チャールズ・イーデルステイン ,  ロバート・ベンジャミン・ライボウィッツ ,  デボラ・アン・ニューメイヤー ,  タク・ハン・ニン ,  ロバート・ローゼンバーグ ,  トーマス・マカロール・ショー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999364510
Publication number (International publication number)：2000200877
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 BEOL配線レベルをコンデンサ電極として使用するコンデンサの形成において使用可能な、薄膜誘電体材料を提供することである。【解決手段】 集積回路アプリケーションにおいてコンデンサを形成するために使用される、10以上の誘電率を有する非晶質誘電体材料が提供される。BEOL冶金学が悪影響を受けないように、非晶質誘電体材料が450°C以下の温度で形成される。本発明の非晶質誘電体材料は、良好な共形性及び低リーク電流を示す。また、本発明のコンデンサを含むダマシーン素子も開示される。

Claim (excerpt)：

2つの電極間に配置される10以上の誘電率を有する非晶質誘電体材料を含むコンデンサ。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 酸化物の処理方法、アモルファス酸化膜の形成方法およびアモルファス酸化タンタル膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-264485   Applicant：ソニー株式会社
• 化合物半導体集積回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-134918   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平3-293775
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-016399   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平2-133952
  
• オンチップ・デカップリング・コンデンサ及び形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-009865   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開平2-296361
  
• 相互接続配線システムおよび形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-073163   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• コンデンサおよびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-274530   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション