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J-GLOBAL ID：200903005001654249

光検出半導体装置

Inventor：
高倉 真二

About 高倉 真二


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 野田 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001196752
Publication number (International publication number)：2003017715
Application date： Jun. 28, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】 低コストで、短波長の光に対しても良好な光感度を確保する。【解決手段】 光検出半導体装置2は、たとえば光ディスク装置に組み込んで光ディスクからの反射光を受光し電気信号を生成するものであり、光電変換素子(たとえばPIN型フォトダイオード)を含む半導体チップ104を透明な樹脂パッケージ4内に収容して構成され、同パッケージの表面における、光電変換素子前方の箇所に、平面視円形の凹部6が形成されている。この凹部6におけるパッケージ4の厚みd1は、たとえば凹部6周辺のパッケージ4の厚みd2の半分以下とする。また、凹部6に代えて開口を形成し、光を直接、光電変換素子に入射させる構造とすることも有効である。
Claim 1：
光電変換素子を含む半導体チップを透明な樹脂パッケージ内に収容した光検出半導体装置であって、前記パッケージの表面における、前記光電変換素子前方の箇所に凹部が形成されていることを特徴とする光検出半導体装置。
IPC (2)：
H01L 31/02 ,  H01L 23/28
FI (3)：
H01L 23/28 D ,  H01L 23/28 J ,  H01L 31/02 B
F-Term (18)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109DA07 ,  4M109DB17 ,  4M109EA01 ,  4M109EC11 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01 ,  5F088AA03 ,  5F088BA01 ,  5F088BB10 ,  5F088CB20 ,  5F088JA02 ,  5F088JA06 ,  5F088JA20 ,  5F088LA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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