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J-GLOBAL ID：200903005003438756

レーザアニール方法

Inventor： 小池 義彦 ,  胡 中行 ,  青山 隆 ,  岡島 義昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998296401
Publication number (International publication number)：1999195608
Application date： Nov. 30, 1988
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】キャリアの移動度が大きい薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁基板上の半導体膜を、レーザアニールを用いることで{111}配向とする。

Claim (excerpt)：

絶縁基板と該基板上に形成された半導体膜を有する薄膜半導体装置において、レーザ照射により該半導体層を{111}面を主体とした配向を持つ多結晶シリコン膜とすることを特徴とするレーザアニール方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-263714
  
• 特開昭63-263714