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J-GLOBAL ID：200903005009003964

酸化物層と電流誘導加熱を使用した熱アシスト磁気書込み

Inventor：
バリー・シー・スタイプ

About バリー・シー・スタイプ


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

About インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション


Agent (4)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007203671
Publication number (International publication number)：2008004952
Application date： Aug. 03, 2007
Publication date： Jan. 10, 2008
Summary：
【課題】固定磁気電極、固定磁気電極に隣接した酸化物層、および自由磁気電極を有する不揮発性磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)デバイスのための方法および構造が提供される。【解決手段】酸化物層は固定磁気電極と自由磁気電極の間にある。本発明では、導体が固定磁気電極に接続される。酸化物層は、電流誘導加熱により自由磁気電極の異方性を低下させるのに十分な電力消費を可能とするレベルの抵抗を有する。電流誘導加熱が、自由磁気電極をスイッチングさせるためにスピン転移トルクまたは磁界と組み合わせて使用される。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
不揮発性磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)デバイスであって、 固定磁気電極と、 絶縁体層と、 自由磁気電極とを備え、前記絶縁体層が、前記固定磁気電極と前記自由磁気電極との間にあり、 前記絶縁体層が、前記自由磁気電極を電流誘導加熱により前記自由磁気電極の異方性を低下させるのに十分な電力消費を可能にするレベルの抵抗を有し、 前記加熱が、前記自由磁気電極をスイッチングさせて前記MRAMデバイスに情報を書き込むのを助け、前記加熱がない場合に必要とされる値よりも低い値にまで電流密度を低下させ、 前記加熱電流が、スピン分極されており、前記自由磁気電極中でスピン転移により書込みが起こるのを可能にする、デバイス。
IPC (5)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  G11C 11/15
FI (4)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  G11C11/15 140
F-Term (29)：
4M119AA01 ,  4M119AA05 ,  4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119CC06 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD33 ,  4M119EE22 ,  4M119EE29 ,  4M119FF13 ,  4M119FF14 ,  5F092AA01 ,  5F092AA03 ,  5F092AA04 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB23 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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