成膜方法、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：稲葉良幸 , 田中克郎 , 大賀眞司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005329303
Publication number (International publication number)：2007141892
Application date： Nov. 14, 2005
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：

【課題】特性の良好な金属酸化膜を提供し、電子デバイスの特性を向上させる。【解決手段】電子デバイス(例えば、液晶表示装置のTFT部)の製造において、基板100上に例えば透明導電性膜となる、金属アルコキシド塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、金属アルコキシド塗布膜を焼成するとともに、形成される透明導電性膜(金属酸化膜)の改質を行う。かかる熱処理によれば、火炎中もしくは火炎の周囲の水酸基ラジカル(OH*)や酸素ラジカル(O*)等により、加水分解や重縮合反応が促進され、未反応部が低減し、透明導電性膜(金属酸化膜)の膜質が向上する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

成膜方法であって、基板上に塗布された有機金属化合物溶液に、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、有機金属化合物溶液の加水分解もしくは重縮合反応を促進することにより、前記有機金属化合物が焼成して成る導電性膜を形成する工程を有することを特徴とする成膜方法。

IPC (7)：

H01L 21/288 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 23/52 , H01L 21/320 , G02F 1/134

FI (6)：

H01L21/288 Z , H01L29/78 612C , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L21/88 M , G02F1/1343

F-Term (66)：

2H092GA11 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092MA02 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092PA02 , 2H092PA13 , 4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 4M104HH16 , 5F033HH08 , 5F033HH38 , 5F033JJ38 , 5F033KK04 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ73 , 5F033QQ81 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW04 , 5F033XX08 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL27 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

透明導電膜形成用塗布液、透明導電膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-326108 Applicant：住友大阪セメント株式会社

Return to Previous Page