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J-GLOBAL ID：200903005021416301

誘電体及びその製造方法並びに半導体装置

Inventor： 福田 琢也 ,  金井 史幸 ,  加藤 聖隆
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996040929
Publication number (International publication number)：1996298260
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の配線間を絶縁する誘電体膜の誘電率を低減し、信号の配線遅延を緩和する。【解決手段】Si-F,Si-O結合を有する酸化フッ化珪素膜を、半導体装置の配線の絶縁に用いる。また、SiF2X2(X=H,Cl,OCH3,OC2H5,OC3H7)を反応ガスとして用い、誘電体膜を形成する。【効果】Si-F,Si-O結合を有する酸化フッ化珪素膜は、Si-Si結合やO-F結合を含んだ酸化フッ化珪素膜より誘電率が小さいので、配線遅延が少なくなり信頼性の高い半導体装置が製造できる。

Claim (excerpt)：

フッ素原子と珪素原子の共有結合を有する酸化フッ化珪素物を含むことを特徴とする誘電体。

IPC (2)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 K