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J-GLOBAL ID：200903005023559088

光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池

Inventor： 大福 幸司 ,  山田 岳俊 ,  北 弘志
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002278606
Publication number (International publication number)：2004119099
Application date： Sep. 25, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：

【課題】本発明の目的は、優れた光電変換効率と安定性とを両立する光電変換材料用半導体並びに光電変換素子を提供することにある。さらに、この光電変換材料用半導体及び光電変換素子を用いた太陽電池を提供することにある。【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物が半導体表面に吸着されていることを特徴とする光電変換材料用半導体。【化1】【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される化合物が半導体表面に吸着されていることを特徴とする光電変換材料用半導体。

IPC (2)：

H01M14/00 ,  H01L31/04

FI (2)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

F-Term (15)：

5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051BA18 ,  5F051CB13 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032CC16 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04 ,  5H032EE20