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J-GLOBAL ID:200903005026356684

信号処理回路およびインターフェイス回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人 有古特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008077174
Publication number (International publication number):2009232311
Application date: Mar. 25, 2008
Publication date: Oct. 08, 2009
Summary:
【課題】SSPDをアレー化した場合のSSPDピクセルの信号処理による熱負荷増大に対して適切に対応できる信号処理回路およびインターフェイス回路を提供する。【解決手段】本発明の信号処理回路20Aにおいては、複数の超伝導ナノワイヤ型単一光子検出器100Aから出力される信号の処理に用いられ、単一磁束素子により構成された論理回路(21、22)が組み込まれている。【選択図】図4
Claim (excerpt):
複数の超伝導ナノワイヤ型単一光子検出器から出力される信号の処理に用いられ、単一磁束素子により構成された論理回路が組み込まれている、信号処理回路。
IPC (5):
H03K 19/173 ,  H01L 39/22 ,  H03K 19/195 ,  H03K 19/017 ,  H03K 19/08
FI (6):
H03K19/173 101 ,  H01L39/22 K ,  H01L39/22 D ,  H03K19/195 ,  H03K19/00 101F ,  H03K19/08 Z
F-Term (27):
4M113AA00 ,  4M113AC06 ,  4M113AC22 ,  4M113AD23 ,  5J042AA04 ,  5J042BA01 ,  5J042BA19 ,  5J042CA00 ,  5J042CA15 ,  5J042CA16 ,  5J042CA22 ,  5J042CA23 ,  5J042CA29 ,  5J042DA00 ,  5J056AA04 ,  5J056BB00 ,  5J056BB28 ,  5J056CC00 ,  5J056CC01 ,  5J056CC14 ,  5J056CC17 ,  5J056CC18 ,  5J056DD00 ,  5J056FF10 ,  5J056GG14 ,  5J056KK01 ,  5J056KK02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 超電導回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-042626   Applicant:株式会社東芝
  • 特開昭60-247311
Cited by examiner (1)
  • 超電導回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-042626   Applicant:株式会社東芝
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • Multi-Element Superconducting Nanowire Single-Photon Detector
Cited by examiner (1)
  • Multi-Element Superconducting Nanowire Single-Photon Detector

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