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J-GLOBAL ID：200903005027177929

高周波高出力トランジスタ

Inventor： 小林 徹夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993177775
Publication number (International publication number)：1995037899
Application date： Jul. 19, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高周波高出力トランジスタにおいて安定に動作できるトランジスタを得る。【構成】 トランジスタ30のベースおよびエミッタに、半導体からなる第1の抵抗体5,6と、金属からなる第2の抵抗体7,8がそれぞれ並列に挿入されるように接続する。【効果】 抵抗値の変動の少ない抵抗が得られ、ベースおよびエミッタを流れる電流の値が変動しないこととなり、高周波高出力トランジスタの動作の安定化が図れる。

Claim (excerpt)：

高周波高出力トランジスタにおいて、ベース領域,エミッタ領域,又はコレクタ領域に接続され、トランジスタチップと同一チップ内に形成された半導体による抵抗体と、上記半導体による抵抗体上に設けられ、該抵抗体の温度係数を打ち消す温度係数を有する温度係数補償用抵抗体とを備えたことを特徴とする高周波高出力トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/04 P