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J-GLOBAL ID：200903005040128767
多層配線基板
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996306669
Publication number (International publication number)：1998150268
Application date： Nov. 18, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】ボンディングパッドに半導体素子等を確実、強固に電気的接続することができない。【解決手段】基板1上に、有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体3とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体3を有機樹脂絶縁層2に設けたスルーホール導体6を介して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層2a上面に、前記薄膜配線導体3と電気的に接続し、外部の電子部品8が接続されるボンディングパッド7を設けて成る多層配線基板であって、前記最上層の有機樹脂絶縁層2aの少なくともボンディングパッド7の下部に位置する領域が150°Cにおいて直径1mmφの針を10gfで押圧したとき、針の侵入深さが10μm以下である。
Claim (excerpt)：
基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体と電気的に接続し、外部の電子部品が接続されるボンディングパッドを設けて成る多層配線基板であって、前記最上層の有機樹脂絶縁層の少なくともボンディングパッドの下部に位置する領域が150°Cにおいて直径1mmφの針を10gfで押圧したとき、針の侵入深さが10μm以下であることを特徴とする多層配線基板。
IPC (2)：
FI (4)：
H05K 3/46 E
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 Q
, H01L 23/12 N
