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J-GLOBAL ID:200903005042804174

静電誘導サイリスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998179939
Publication number (International publication number):2000012832
Application date: Jun. 26, 1998
Publication date: Jan. 14, 2000
Summary:
【要約】【課題】 静電誘導サイリスタ(SITh)のスイッチング性能を改善する。【解決手段】 ノーマリーON型SIThのカソードスリット3の中央部分にp型ベース層8を形成してカソードスリット3に構成されるSIThを部分的にノーマリーOFF型にする。ターンオフに失敗して熱破壊する原因は、ターンオフ期間後半に主電流が特定の個所に集中するためである。カソードスリットではその電流集中がカソードスリットの長手方向の中央部で発生する。カソードスリット中央部にp型ベース層8を形成すると、この付近がノーマリーOFF型となるので、カソードスリット中央部分のターンOFF時間が短くなり、先にターンオフされる。それでターンオフ時間後半に中央部付近で電流集中が発生しにくくなり、電流集中が緩和され、最大可制御電流が向上する。
Claim (excerpt):
n型半導体基板の一方の主面に複数のスリット状のn型カソード領域を、他方の主面にp型アノード領域をそれぞれ備え、前記カソード領域との間に電流経路となるn型高比抵抗領域を備え、電流のオン・オフの制御を行うためのp型ゲート領域を備えた静電誘導サイリスタにおいて、前記スリット状のn型カソード領域の中央付近の直下にp型ゲート層に接続されているp型ベース層を部分的に形成し、ノーマリーオン型の特性を示すカソードスリット領域の中央付近を局部的にノーマリーオフ型の特性を示す構造としたことを特徴とする静電誘導サイリスタ。
F-Term (10):
5F005AA01 ,  5F005AB02 ,  5F005AC01 ,  5F005AC02 ,  5F005AD01 ,  5F005AE01 ,  5F005AF01 ,  5F005AF02 ,  5F005DA01 ,  5F005GA01

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