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J-GLOBAL ID:200903005051004970
配線基板の製造方法およびその配線基板
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (2):
井上 学
, 戸田 裕二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007286865
Publication number (International publication number):2009117498
Application date: Nov. 05, 2007
Publication date: May. 28, 2009
Summary:
【課題】 塗布材料を用いた良質な細線パターンとパターン間の良質な狭間隙を有する配線基板,電子回路が作成可能となった。印刷技術の展開で実現可能であるため有機薄膜電子デバイスおよび電子回路の低価格化が実現できる。【解決手段】 電界効果型トランジスタを有する配線基板において、並列に配置された複数の溝と、これらの複数の溝の一端と連通する共通溝と、前記複数の溝の底部に設けられた金属層と、この金属層と接続して前記共通溝の底部に設けられた電極層とを有し、前記共通溝に設けられた電極層がソース電極若しくはドレイン電極となることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
金属粒子を分散させた溶液を供給して配線を形成する配線基板の製造方法において、基板上に、並列に設けられた複数の溝型流路と、それぞれの溝型流路の一端と連通する共通流路とを設け、前記流路へ金属粒子を分散させた溶液を供給し、前記溶液の溶媒を乾燥させて、前記流路内に残った前記金属粒子を焼成して、前記基板上に配線を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (14):
5E343AA02
, 5E343AA16
, 5E343AA18
, 5E343AA23
, 5E343BB03
, 5E343BB25
, 5E343BB62
, 5E343BB72
, 5E343DD12
, 5E343ER35
, 5E343FF05
, 5E343FF11
, 5E343GG08
, 5E343GG11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-350844
Applicant:キヤノン株式会社
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膜パターン形成方法および膜パターン形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-186357
Applicant:セイコーエプソン株式会社
Cited by examiner (2)
-
配線基板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-171812
Applicant:シャープ株式会社
-
半導体装置及び高出力電力増幅装置並びにパソコンカード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-046644
Applicant:株式会社ルネサステクノロジ
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