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J-GLOBAL ID：200903005051609546

シリコン単結晶の製造方法

Inventor： 石川 文敬 ,  最勝寺 俊昭 ,  中村 浩三
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997312819
Publication number (International publication number)：1999130592
Application date： Oct. 29, 1997
Publication date： May. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ボロンドープのP型CZシリコン単結晶の製造において、ボロン濃度の変化に応じた適切な引き上げ条件を明確化し、所望の単結晶が得られるようなシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 ボロン濃度をB(atoms/cm3 )、結晶成長速度をV(mm/min)、融点から1350°Cまでの軸方向温度勾配をG(°C/mm )とし、酸素析出熱処理後に発生するリング状の熱酸化誘起積層欠陥が結晶中心に消滅する場合のV/Gを(V/G)cri としたとき、(V/G)cri =0.15+1.47×10-20 ×Bなる算式を用いて結晶引き上げ条件を設定する。

Claim (excerpt)：

CZ法を用いてボロンドープによるP型シリコン単結晶を製造するに当たり、ボロン濃度をB(atoms/cm3 )、結晶成長速度をV(mm/min)、融点から1350°Cまでの軸方向温度勾配をG(°C/mm )とし、酸素析出熱処理後に発生するリング状の熱酸化誘起積層欠陥が結晶中心に消滅する場合のV/Gを(V/G)cri としたとき、(V/G)cri =0.15+1.47×10-20 ×Bなる算式を用いて結晶引き上げ条件を設定することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/20

FI (3)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 15/20