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J-GLOBAL ID：200903005058806991

磁気抵抗効果素子

Inventor： 千代延 達雄 ,  金井 均
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994318790
Publication number (International publication number)：1996180327
Application date： Dec. 21, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 主に磁気ヘッドなどに用いられ、スピンバルブ磁気抵抗効果を利用して磁界の変化を素子の抵抗率の変化に変換する磁気抵抗効果素子に関し、腐蝕しやすい磁性体材料を用いず、かつ製造が容易で、信号磁界の変化に対して電気抵抗を線形に変化させる。【構成】 磁性層10A,10C同士が非磁性導電層10Bを挟んで交換相互作用により磁気的に結合している結合型複合層10と、結合型複合層10に接して重なる第1の非磁性導電層12と、第1の非磁性導電層12に接して重なる第1の軟磁性層11と、第1の軟磁性層11の磁気抵抗の変化を検出する電流を流す電極20,21とを有する。

Claim (excerpt)：

磁性層同士が非磁性導電層を挟んで交換相互作用により磁気的に結合している結合型複合層と、前記結合型複合層に接して重なる第1の非磁性導電層と、前記第1の非磁性導電層に接して重なる第1の軟磁性層と、前記第1の軟磁性層の磁気抵抗の変化を検出する電流を流す電極とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。