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J-GLOBAL ID：200903005064336301
磁性メモリ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梶原 康稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000221409
Publication number (International publication number)：2002042457
Application date： Jul. 21, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】 一つのメモリセルで多値の情報の記録再生を行うことで、高密度化に良好に対応することができる磁性メモリを提供する。【解決手段】 第一磁性層14より保磁力Hcの高い第二磁性層18,20を備えている。情報の記録時は、各磁性層14,18,20の磁化の向きを組み合わせて、3値記録を行う(A〜C)。情報の再生時は、ワード線24によって、左向きから右向きへ反転するパルス磁界を磁性メモリに印加する(D)。各磁性層14,18,20の磁化方向に応じて抵抗状態が変化し(E〜G)、これによって論理値の「0」,「1」及び「2」が判別される。
Claim (excerpt)：
第一磁性層,絶縁層,第二磁性層の順に積層されており、トンネル磁気抵抗効果を利用して情報を記憶する磁性メモリであって、前記第二磁性層が、互いに異なる保磁力を有する複数の領域を含むことを特徴とする磁性メモリ。
IPC (2)：
FI (2)：
G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
