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J-GLOBAL ID:200903005070894022

光起電力装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池浦 敏明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997032974
Publication number (International publication number):1998214986
Application date: Jan. 30, 1997
Publication date: Aug. 11, 1998
Summary:
【要約】【課題】 光電変換効率の極めて高いタンデム型光起電力装置を提供する。【解決手段】 異なる2つの光起電力素子を積層してなる光起電力装置において、光の入射側に配設された光起電力素子41が(112)配向したI-III-VI2族化合物を光吸収層6とし、他方の光起電力素子31が結晶質シリコンを光吸収層1とする光起電力装置。I-III-VI2族化合物としてはCu1-xAgxIn1-yGayS2(0≦x≦0.7、0≦y≦0.4)、Cu1-xAgxIn1-yAlyS2(0≦x≦0.7、0≦y≦0.2)及びCuIn1-xAlxSe2(0.2≦x≦0.5)が好ましい。
Claim (excerpt):
異なる2つの光起電力素子を積層してなる光起電力装置において、光の入射側に配設された光起電力素子が(112)配向したI-III-VI2族化合物を光吸収層とし、他方の光起電力素子が結晶質シリコンを光吸収層とすることを特徴とする光起電力装置。

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