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J-GLOBAL ID：200903005071402204

発光ダイオード

Inventor： 田中 利幸 ,  坂口 泰之
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033462
Publication number (International publication number)：1994252444
Application date： Feb. 23, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 発光波長580〜660nmで高輝度の発光ダイオ-ドを得る。【構成】 基板と発光部との間に、0.4≦a<0.95≦b<1なる関係を有する第一のAl<SB>a</SB> Ga<SB>1-a</SB> As層と第二のAl<SB>b</SB> Ga<SB>1-b</SB> As層との積層体からなる反射層を具備し、混晶比xの異なるAl<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> Pのダブルヘテロ構造からなる反射鏡を利用する。

Claim (excerpt)：

ダブルへテロ構造を有する発光部と基板の間に、0.4≦a<b<1を満たす、第一の半導体層Al<SB>a</SB> Ga<SB>1-a</SB> Asと第二の半導体層Al<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB> Asを交互に積層して形成される、半導体多層膜反射鏡を備えていることを特徴とする発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-020076
  
• 特開昭60-077473
  
• 特開平3-229480
  
• 特開平3-114277