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J-GLOBAL ID：200903005073074859
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993080544
Publication number (International publication number)：1994296033
Application date： Apr. 07, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 この発明は、回路破損を招くことなく陽極接合部を横切る配線取り出しを可能ならしめることを目的とする。【構成】 この発明は、n型基板1とガラス基板2とを高電圧電源7、針状電極3を用いて陽極接合して得られる陽極接合部を横切る配線としてp+ 拡散配線4を用いて構成される。
Claim (excerpt)：
陽極接合される第1の部材及び第2の部材と、陽極接合される第1の部材及び第2の部材の陽極接合部を横切る配線とから構成される半導体装置において、前記陽極接合部を横切る配線が、前記陽極接合される第1の部材又は第2の部材の表面あるいは内部にp-n接合分離されて形成された拡散配線からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
, H01L 21/02
, H01L 21/90
