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J-GLOBAL ID:200903005097291575
光起電力装置及び光起電力装置の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
河野 登夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994213796
Publication number (International publication number):1996078714
Application date: Sep. 07, 1994
Publication date: Mar. 22, 1996
Summary:
【要約】【目的】 製造プロセスの簡素化を図れて低コスト化を実現でき、しかも、歩留りを向上できる光起電力装置及びその製造方法の提供。【構成】 青板ガラス1と透明電極(SnO2 膜)4との間、及び、透明電極(SnO2 膜)4と光電変換層たるa-Si膜7との間に、Si(NCO)4 +H2 Oの低温CVD法により形成した第1のSiO2 層2及び第2のSiO2 層6を設ける。また、第1のSiO2 層2と透明電極4との間、及び、透明電極4と第2のSiO2 層6との間に、第1,第2のSiO2 層2,6側から透明電極4側に向かうにつれてSnO2 の含有率を増加させた第1,第2の界面層(SiO2 /SnO2 混在層)3,5を設ける。
Claim (excerpt):
ガラス基板上に、SnO2 を主成分とする透明電極,アモルファスシリコン膜をこの順に有する光起電力装置において、前記ガラス基板と前記透明電極との間、及び/または、前記透明電極と前記アモルファスシリコン膜との間に、SiO2 層を設けたことを特徴とする光起電力装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L 31/04 N
, H01L 31/04 M
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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