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J-GLOBAL ID:200903005098005711

半導体装置の試験方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 寒川 誠一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992266409
Publication number (International publication number):1994120315
Application date: Oct. 06, 1992
Publication date: Apr. 28, 1994
Summary:
【要約】【目的】 半導体装置、特に、高耐電圧半導体装置(ウェーハまたはチップ)の耐電圧測定試験方法に関し、絶縁性樹脂膜を塗布したりすることなく、高耐電圧半導体装置の耐電圧測定試験をすることができる半導体装置の試験方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体装置を絶縁性のフロロカーボン溶液中に浸漬して耐電圧測定を実施するようにする。
Claim (excerpt):
半導体装置を絶縁性のフロロカーボン溶液中に浸漬して耐電圧測定をなすことを特徴とする半導体装置の試験方法。
IPC (3):
H01L 21/66 ,  G01R 31/12 ,  G01R 31/26

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