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J-GLOBAL ID：200903005105204920

分子素子

Inventor：
真島 豊

About 真島 豊

, 
篠原 久典

About 篠原 久典

, 
安武 裕輔

About 安武 裕輔


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (1)： 平山 一幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006336439
Publication number (International publication number)：2008153245
Application date： Dec. 13, 2006
Publication date： Jul. 03, 2008
Summary：
【課題】金属内包フラーレンの方向を制御することで、多値スイッチや各種書き換え可能な論理素子を実現する分子素子を提供する。【解決手段】分子素子10は、第1の電極2と第1の電極上に配置した第1の自己組織化単分子膜4と第2の電極3と第2の電極上に配置した第2の自己組織化単分子膜5と第1の自己組織化単分子膜及び第2の自己組織化単分子膜5間に配置した金属内包フラーレン6とを備え、金属内包フラーレン6と第1の電極2との間に第1の自己組織化単分子膜4を介して第1のトンネル接合8を形成し、金属内包フラーレンと第2の電極3との間に第2の自己組織化単分子膜5を介して第2のトンネル接合9を形成し、金属内包フラーレンに印加する電界で、金属内包フラーレンの双極子モーメントの方向を制御する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1の電極と、該第1の電極上に配置される第1の自己組織化単分子膜と、第2の電極と、該第2の電極上に配置される第2の自己組織化単分子膜と、上記第1の自己組織化単分子膜と第2の自己組織化単分子膜との間に配置される金属内包フラーレンと、を備え、 上記金属内包フラーレンと第1の電極との間には上記第1の自己組織化単分子膜を介して第1のトンネル接合が形成され、 上記金属内包フラーレンと第2の電極との間には上記第2の自己組織化単分子膜を介して第2のトンネル接合が形成され、 上記金属内包フラーレンに印加する電界で、上記金属内包フラーレンの双極子モーメントの方向を制御することを特徴とする、分子素子。
IPC (5)：
H01L 29/66 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  B82B 1/00 ,  H01L 29/06
FI (5)：
H01L29/66 S ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 100A ,  B82B1/00 ,  H01L29/06 601N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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