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J-GLOBAL ID:200903005111021730

水素透過膜、水素センサおよび水素の検知方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 志賀 正武 ,  棚井 澄雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005118798
Publication number (International publication number):2006300560
Application date: Apr. 15, 2005
Publication date: Nov. 02, 2006
Summary:
【課題】保護膜としての機能を果たしながら応答速度の低下を抑制できる水素透過膜を提供する。また、この水素透過膜を水素センサに適用して、応答速度が速い水素センサおよび水素検知方法を提供する。【解決手段】本発明の水素透過膜は、リンを添加した酸化珪素からなる。また、本発明の水素センサは、半導体と、半導体の表面の少なくとも一部に付設する水素吸収体と、水素吸収体の露出した面を覆うとともに水素を透過する水素透過膜と、水素吸収体の付設位置を挟んで、半導体に水素吸収体によって導通しないように配置した対になる電極とを具備してなり、水素透過膜がリンを添加した酸化珪素からなり、水素吸収体への水素吸収の有無に対応する半導体の抵抗値変化を対になる電極間で計測することにより、水素の存在を検知可能とされてなる。【選択図】 図1
Claim 1:
リンを添加した酸化珪素からなることを特徴とする水素透過膜。
IPC (3):
G01N 27/12 ,  B01D 71/02 ,  C01B 3/56
FI (4):
G01N27/12 C ,  G01N27/12 A ,  B01D71/02 500 ,  C01B3/56 Z
F-Term (28):
2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC04 ,  2G046BC05 ,  2G046BF01 ,  2G046DC13 ,  2G046EB01 ,  2G046FB00 ,  2G046FB06 ,  2G046FE00 ,  2G046FE13 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  4D006GA41 ,  4D006MB03 ,  4D006MC03X ,  4D006NA31 ,  4D006PA01 ,  4D006PB06 ,  4D006PC80 ,  4G140FA06 ,  4G140FB09 ,  4G140FC01 ,  4G140FE01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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