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J-GLOBAL ID：200903005121448359

LEC法化合物半導体単結晶の製造方法

Inventor： 大宝 幸司 ,  矢吹 伸司 ,  池田 裕一
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001074152
Publication number (International publication number)：2002274999
Application date： Mar. 15, 2001
Publication date： Sep. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 安定かつ効果的に内部歪みを除去して、加工工程でのクラックの発生及びエピ工程でのスリップの発生を防止できるLEC法化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 LEC法により化合物半導体単結晶を結晶成長させた後、熱処理するLEC法化合物半導体単結晶の製造方法において、上記熱処理を、200°C/h以下の速度で750°C以上900°C以下の温度範囲内まで加熱し、該温度範囲内で30分間以上保持した後、100°C/h以下の速度で常温まで冷却する。

Claim (excerpt)：

LEC法により化合物半導体単結晶を結晶成長させた後、熱処理するLEC法化合物半導体単結晶の製造方法において、上記熱処理を、200°C/h以下の速度で750°C以上900°C以下の温度範囲内まで加熱し、該温度範囲内で30分間以上保持した後、100°C/h以下の速度で常温まで冷却することを特徴とするLEC法化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/42 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208

FI (3)：

C30B 29/42 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208 P

F-Term (10)：

4G077AA02 ,  4G077BE46 ,  4G077CF10 ,  4G077EJ07 ,  4G077FE02 ,  4G077FE17 ,  5F053AA12 ,  5F053PP03 ,  5F053PP20 ,  5F053RR03