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J-GLOBAL ID:200903005125273570
半導体装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999333119
Publication number (International publication number):2001156225
Application date: Nov. 24, 1999
Publication date: Jun. 08, 2001
Summary:
【要約】【課題】 放熱性や電気伝導性を改善し、かつ、異なる半導体チップを容易に収納できる半導体装置を提供する。【解決手段】 平面的に配置されたSiチップ1a、1bを挟む様にして、一対の放熱部材2、3が配置されており、Siチップ1a、1bの主電極と、CuまたはAlを主成分とする金属からなる各々の放熱部材2、3とが電気的に、かつ熱的に接続されるように接合部材4を介して接続されている。一面側の放熱部材2には、対向するSiチップ1a、1bに対応して突出部2aが形成されており、その突出部2aの先端と主電極とが接続されている。そして、Siチップ1a、1bと各々の放熱部材2、3とが樹脂封止されている。
Claim (excerpt):
放熱面(10)を有する一対の放熱部材(2、3)が、接合部材(4)を介して、半導体チップ(1a、1b)を挟む様にして、前記半導体チップ(1a、1b)と熱的かつ電気的に接続されており、前記一対の放熱部材(2、3)がタングステンおよびモリブデンよりも、電気伝導度および熱伝導率のうちの少なくとも一方が高い金属材料からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
FI (2):
H05K 7/20 T
, H01L 23/36 Z
F-Term (18):
5E322AA11
, 5E322AB01
, 5E322AB02
, 5E322AB08
, 5E322FA04
, 5F036AA01
, 5F036BA04
, 5F036BA26
, 5F036BB05
, 5F036BB21
, 5F036BB41
, 5F036BC03
, 5F036BC05
, 5F036BC06
, 5F036BC08
, 5F036BD01
, 5F036BE01
, 5F036BE06
Patent cited by the Patent:
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