高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002050829
Publication number (International publication number)：2002327013
Application date： Feb. 27, 2002
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】式(1)の基を含有する高分子化合物。【化1】(R1〜R3はH、F又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R4及びR5はH又はF、R6及びR7はH、F又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R6及びR7のうち少なくとも一方は一個以上のFを含む。aは0又は1。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、特に170nm以下の波長における感度が優れている上、レジストの透明性が向上し、優れたプラズマエッチング耐性を有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される基を含有することを特徴とする、重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1〜R3は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R2及びR3は環を形成してもよく、その場合は酸素、硫黄、窒素等のヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜20のアルキレン基を表す。R4及びR5は水素原子又はフッ素原子である。R6及びR7は水素原子、フッ素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R6及びR7のうち少なくとも一方は一個以上のフッ素原子を含む。R6とR7は環を形成してもよく、その場合は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基を表す。aは0又は1である。)

IPC (7)：

C08F 20/22 , C08F 22/40 , C08F 32/00 , C08F 34/00 , C08G 61/12 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (7)：

C08F 20/22 , C08F 22/40 , C08F 32/00 , C08F 34/00 , C08G 61/12 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (38)：

2H025AA01 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB25 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC03 , 2H025FA17 , 4J032BA02 , 4J032BA07 , 4J032BB01 , 4J032BB03 , 4J032CA32 , 4J032CA34 , 4J032CB01 , 4J032CB03 , 4J032CC03 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BB07P , 4J100BB17P , 4J100BB18P , 4J100BC03Q , 4J100BC08P , 4J100BC09Q , 4J100BC12P , 4J100BC53P , 4J100BC53R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

感光性組成物、およびこれを用いたパターン形成方法ならびに電子部品の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-366051 Applicant：株式会社東芝
ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-338701 Applicant：セントラル硝子株式会社

Return to Previous Page