Pat
J-GLOBAL ID：200903005126152512
過電圧保護機能内蔵型半導体装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238078
Publication number (International publication number)：1995094730
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 動作電圧の制御が容易で、製造プロセス上の変動要因が少なく、かつ、再現性の良い過電圧保護の可能な過電圧保護機能を内蔵した半導体装置を得る。【構成】 一対の主表面を有する半導体基体の一方の主表面に隣接するp型コレクタ層2、コレクタ層2に隣接したn型コレクタバッファ層3、コレクタバッファ層及び他方の主表面に隣接しコレクタバッファ層よりも高比抵抗を有するn型ドリフト層4、ドリフト層に隣接し他方の主表面より選択的に形成されたp型の第1のベース層5、ベース層内に選択的に形成されたn型のエミッタ層6、ゲート電極11を備えて主素子が形成される。前記ドリフト層内には、第1のベース層とは分離して他方の主表面より、第1のベース層よりもその不純物総量が少ないp型の第2のベース層8とこれを取り囲む第1のベース層と同一不純物濃度のp型半導体層8が設けられ、第2のベース層上に設けられた電極と前記ゲート電極とがダイオードを介して接続されている。不純物総量の小さな第2のベース層は、過電圧が印加されたときパンチスルー動作する。
Claim (excerpt)：
一対の主表面を有する半導体基体の一方の主表面に隣接する一方導電型のコレクタ層、該コレクタ層に隣接する他方導電型のコレクタバッファ層、該コレクタバッファ層及び前記半導体基体の他方の主表面に隣接し前記コレクタバッファ層よりも高比抵抗を有する他方導電型のドリフト層、該ドリフト層に隣接し他方の主表面より選択的に形成された一方導電型の第1のベース層、該ベース層内に選択的に形成された他方導電型のエミッタ層を備え、かつ、前記第1のベース層のドリフト層とエミッタ層とに挟まれた部分をチャネル領域とするために該領域上に絶縁膜を介するゲート電極を備えた半導体装置において、前記ドリフト層内に前記第1のベース層とは分離して他方の主表面より、前記第1のベース層よりもその不純物総量が少ない一方導電型の第2のベース層を設け、過電圧印加時に、この部分でパンチスルー動作を生じさせることにより半導体装置をオン動作させて自己保護を行うことを特徴とする過電圧保護機能内蔵型半導体装置。
FI (3)：
H01L 29/78 321 K
, H01L 29/78 321 J
, H01L 29/78 321 W
