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J-GLOBAL ID:200903005127977302

光半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006274752
Publication number (International publication number):2008096484
Application date: Oct. 06, 2006
Publication date: Apr. 24, 2008
Summary:
【課題】一般にリッジ型の光導波路は、光の閉じこめが強くないため、ストリップ型の光導波路と比較すると、光導波路を屈曲させた場合の光の導波損失が大きくなるので、その光導波路の屈曲部での光の導波損失を低減することを可能とする。【解決手段】半導体領域16と、前記半導体領域16内に形成された第1光閉じ込め層12と第2光閉じ込め層14とに挟まれてなる光導波路21と、前記光導波路21の屈曲部の曲率半径方向に対して該屈曲部の外側および内側の少なくとも一方側上の前記半導体領域16に形成した絶縁膜領域22とを備えたことを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
半導体領域と、 前記半導体領域内に形成された第1光閉じ込め層と第2光閉じ込め層とに挟まれてなる光導波路と、 前記光導波路の屈曲部の中央部より外側および内側の少なくとも一方側上の前記半導体領域に形成した絶縁膜領域と を備えたことを特徴とする光半導体装置。
IPC (1):
G02B 6/122
FI (1):
G02B6/12 A
F-Term (14):
2H147BA05 ,  2H147BD01 ,  2H147DA08 ,  2H147DA10 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA14D ,  2H147FB13 ,  2H147FC01 ,  2H147FC08 ,  2H147FD20 ,  2H147GA19 ,  2H147GA28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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