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J-GLOBAL ID：200903005133777480

半導体素子及び双方向光送受信モジュール

Inventor： 香月 陽一郎
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994130203
Publication number (International publication number)：1995335856
Application date： Jun. 13, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、光通信装置における電気/光変換及び光/電気変換機能を有する半導体レーザ素子及び双方向光送受信モジュールに関し、小型化を図った半導体レーザ素子及び双方向光送受信モジュールを提供することを目的とする。【構成】 n型インジューム・リン基板41の上部に活性層40a、活性層40b、及び電流阻止層となるp型インジューム・ リン42とn型インジューム・リン43とを有する。また、活性層40の上部にp型インジューム・ リン44とp型ガリウム・インジューム・アーセナイド・リン45を有し、溝36によりp型インジューム・ リン44とp型ガリウム・インジューム・アーセナイド・リン45を2分し、互いに絶縁する。さらに、電極を2分されたp型ガリウム・インジューム・アーセナイド・リン45のそれぞれの上部と、n型インジューム・リン基板41の下部とに設ける。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板と、前記第1導電型半導体基板の上部に、第1の活性層と、前記第1導電型半導体基板の上部に、前記第1の活性層と離間された第2の活性層と、前記第1の活性層の上部に、第1の第2導電型半導体と、前記第2の活性層の上部に、前記第1の第2導電型半導体と離間された第2の第2導電型半導体とを有した半導体素子。

IPC (2)：

H01L 27/15 ,  H01S 3/18