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J-GLOBAL ID：200903005138393353

炭窒化ホウ素膜の製造方法

Inventor： 渡辺 俊哉 ,  山下 信樹 ,  保科 良祐
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998224231
Publication number (International publication number)：2000064025
Application date： Aug. 07, 1998
Publication date： Feb. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 耐摩耗性に優れた所望の炭窒化ホウ素膜中の組成比を有する炭窒化ホウ素膜を製造できる手段を提供するにある。【解決手段】 イオン照射20と蒸着18又は複数のイオン照射と、希ガスイオン照射20を同時に行う方法により、基材13上に膜状の炭素、窒素及びホウ素の化合物を形成させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

イオン照射と蒸着又は複数のイオン照射と、希ガスイオン照射を同時に行う方法により、基材上に膜状の炭素、窒素及びホウ素の化合物を形成させることを特徴とする炭窒化ホウ素膜の製造方法。

IPC (4)：

C23C 14/06 ,  B23P 15/28 ,  C23C 14/32 ,  C23C 14/48

FI (5)：

C23C 14/06 C ,  C23C 14/06 H ,  B23P 15/28 A ,  C23C 14/32 F ,  C23C 14/48 D

F-Term (17)：

4K029AA02 ,  4K029BA54 ,  4K029BB07 ,  4K029BC02 ,  4K029BD04 ,  4K029BD05 ,  4K029CA03 ,  4K029CA09 ,  4K029CA10 ,  4K029DB05 ,  4K029DB21 ,  4K029DE01 ,  4K029DE02 ,  4K029EA02 ,  4K029EA05 ,  4K029EA09 ,  4K029FA04