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J-GLOBAL ID：200903005153212187

多層セラミック基板、その製造方法、通信用デバイスおよびそれを用いた通信機器

Inventor： 加賀田 博司 ,  山岡 正拓 ,  竹内 孝之 ,  勝村 英則
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002326491
Publication number (International publication number)：2004165247
Application date： Nov. 11, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】導体周辺の誘電特性を悪化させないように改良された、キャビティを有する多層セラミック基板を提供することを主要な目的とする。【解決手段】多層セラミック基板22は、少なくともその一方の主面にキャビティ9を有する。多層セラミック基板22の内部および/または表面に導体パターン21が設けられている。多層セラミック基板22の内部であって、キャビティ9の底面の周縁部近傍に、導体パターン21と電気的に分離された形状保持パターン24、24a、24bが埋め込まれている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくともその一方の主面にキャビティを有し、かつその内部および/または表面に導体パターンが設けられている多層セラミック基板において、 前記多層セラミック基板の内部であって、前記キャビティの底面の周縁部近傍に、前記導体パターンと電気的に分離された形状保持パターンが埋め込まれていることを特徴とする多層セラミック基板。

IPC (3)：

H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13

FI (4)：

H05K3/46 H ,  H05K3/46 T ,  H01L23/12 C ,  H01L23/12 Q

F-Term (22)：

5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA24 ,  5E346AA32 ,  5E346AA38 ,  5E346AA60 ,  5E346BB01 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18 ,  5E346FF45 ,  5E346GG03 ,  5E346GG06 ,  5E346GG07 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11