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J-GLOBAL ID：200903005164381622

高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア

Inventor： 竹之下 英博
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996202378
Publication number (International publication number)：1998045415
Application date： Jul. 31, 1996
Publication date： Feb. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】優れた焼結性と透磁率を維持したまま、Bs値が4100G以上と高いフェライト材料を得る。【解決手段】54〜75モル%のFe2 O3 と、10〜30モル%のZnOと、10〜25モル%のNiOと、3〜10モル%のCuOを主成分とし、Zn/Niのモル比が1〜1.5であって、かつ上記主成分100重量部に対し、0.1〜5重量部のBi2 O3 と、0.1〜5重量部のMoO3 を含有する。

Claim (excerpt)：

54〜75モル%のFe2 O3 と、10〜30モル%のZnOと、10〜25モル%のNiOと、3〜10モル%のCuOを主成分とし、Zn/Niのモル比が1〜1.5であって、かつ上記主成分100重量部に対し、0.1〜5重量部のBi2 O3 と、0.1〜5重量部のMoO3 を含有することを特徴とする高飽和磁束密度フェライト材料。

IPC (3)：

C01G 49/00 ,  C04B 35/30 ,  H01F 1/34

FI (3)：

C01G 49/00 A ,  C04B 35/30 C ,  H01F 1/34 A