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J-GLOBAL ID：200903005166945043

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法及び平面研磨布

Inventor： 佐藤 淳史
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997225149
Publication number (International publication number)：1999058219
Application date： Aug. 21, 1997
Publication date： Mar. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の化学的機械的研磨(CMP)に関し、半導体ウェハー面内、特に中心部と端部とで研磨量の不均一が生じていた。【解決手段】平面研磨布101に接触して研磨を行う半導体ウェハー102は平面研磨布の回転により外周軌道線103、104で囲まれた部分で研磨される。ここで軌道中心線105と同位置に溝106が彫られている。従来方法では半導体ウェハーの中心部の方が端部よりも局所的に押しつけられる力が増す為に、投入された研磨剤(スラリー)が中心部までは十分に行き渡らなかったが、今回研磨布101上に溝106を形成した為、半導体ウェハー中心部に対してスラリーが供給されやすい構造となり、平板基体の端部と中心部とで研磨量の差が少ない被研磨基体を得ることができた。

Claim (excerpt)：

平板基体を研磨する平面研磨布において該平面基体の該平面研磨布との接触部分のうち端部から少なくとも1cmより内側の該平面研磨布の対応する部分にのみ溝を有することを特徴とする平面研磨布。

IPC (2)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321

FI (2)：

B24B 37/00 C ,  H01L 21/304 321 E