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J-GLOBAL ID：200903005167175411

発光素子用エピタキシャルウエハおよび発光素子

Inventor： 柴田 憲治 ,  柴田 真佐知 ,  今野 泰一郎 ,  金田 直樹
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999120929
Publication number (International publication number)：2000312028
Application date： Apr. 28, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ウインドウ層から発光領域へのドーパントの拡散を抑制した発光素子用エピタキシャルウエハとこれを使用した発光素子を提供する。【解決手段】 n型GaAsの基板1の上にAlGaInPの発光層6を形成し、これにp型GaPのウインドウ層7を形成したエピタキシャルウエハにおいて、ウインドウ層7のドーパントとして炭素を使用する。

Claim 1：

n型導電性の基板の上に発光性のエピタキシャル層を成長させた発光素子用エピタキシャルウエハにおいて、(AlX Ga1-X )Y In1-Y P〔0≦X ≦1、0≦Y ≦1〕により表される化合物のエピタキシャル層から構成される発光層と、炭素によりドーピングされ、かつ前記発光層の表面に形成されたp型導電性エピタキシャル層によって構成されるウインドウ層を有することを特徴とする発光素子用エピタキシャルウエハ。

FI (2)：

H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 L

F-Term (16)：

5F041AA34 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA38 ,  5F041CA48 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-228286   Applicant：信越半導体株式会社
• 半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-125166   Applicant：ローム株式会社