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J-GLOBAL ID：200903005167906912

半導体装置

Inventor： 竹中 計廣 ,  藤沢 晃
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999181678
Publication number (International publication number)：2000091516
Application date： Aug. 21, 1990
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 強誘電体膜を要素とする半導体装置において残留分極や比誘電率の低下の問題を回避し、多結晶シリコン・ゲートを要素とする半導体装置においてしきい値の変動等の問題を回避する。【解決手段】 強誘電体膜又は多結晶シリコン・ゲートを要素とする半導体装置において、該要素の上部において少なくとも該要素を覆う範囲に、水素不放出性の成膜法によりなる耐湿性の水素バリア膜を設けた。

Claim (excerpt)：

強誘電体膜又は多結晶シリコン・ゲートを要素とする半導体装置であって、該要素の上部において少なくとも該要素を覆う範囲に、水素不放出性の成膜法によりなる耐湿性の水素バリア膜を具有することを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (6)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/08 321 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 N

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平4-221848
  
• 特開平1-265524
  
• 特開平1-241860
  
• 特開昭52-042381
  

Cited by examiner (1)

• 特開平4-221848