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J-GLOBAL ID：200903005169427582

フラッシュメモリ制御装置およびフラッシュメモリ制御装置のメモリアクセス方法

Inventor： 細川 直洋
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 小林 将高
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998161145
Publication number (International publication number)：1999353170
Application date： Jun. 09, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 受信するプログラムデータを含む種々のデータをフラッシュメモリに対して自在にプログラムしたり、該プログラムの更新や破壊されたデータの復元を自在に行うことである。【解決手段】 CPU201を介在することなく、インタフェース204を介して受信するデータを直接フラッシュメモリに書き込むように受信したデータのCPU201により読み出しと受信したデータのフラッシュメモリ203への書き込みをASIC202が切り替え制御する構成を特徴とする。

Claim (excerpt)：

フラッシュメモリに対するアクセスを制御するフラッシュメモリ制御装置であって、外部からデータを受信するインタフェース手段と、前記インタフェース手段により受信したデータを保持する保持手段と、入力される動作モードに基づいて前記フラッシュメモリに対する通常動作モードとプログラム動作モードのいずれかに切り替えて、前記保持手段に保持されるデータに対するCPUの読み出しまたは前記保持手段に保持されるデータの前記フラッシュメモリへの書き込みを切り替え制御する制御手段と、を有することを特徴とするフラッシュメモリ制御装置。

IPC (2)：

G06F 9/06 540 ,  G06F 12/06 520

FI (2)：

G06F 9/06 540 M ,  G06F 12/06 520 D