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J-GLOBAL ID：200903005176831224

電荷転送装置

Inventor：
上野 雅史

About 上野 雅史


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992298793
Publication number (International publication number)：1994151798
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 アンプの消費電力を増大させることなくダイナミックレンジを大きくする。【構成】 ソース領域6とドレイン領域7との間のチャネル層2の領域のドレイン領域7側の上部に絶縁膜4を介して第1電極81が配置され、ソース領域6側の上部に第2電極82が配置される。第1電極81および第2電極82には、それぞれパルス信号印加部80から制御信号φR1および制御信号φR2が印加される。ソース領域6に電極3下のチャネルから電極5下のチャネルを通って信号電荷が蓄積される際に、第2電極82下の電位は、第1電極81下の電位よりも高くなり、第2電極82下のチャネルがソース領域6の付加的な容量として信号電荷を蓄積する。
Claim 1：
半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた電荷転送層と、前記電荷転送層に設けられ、電荷転送層内を転送された信号電荷を受けるソース領域と、前記電荷転送層に前記ソース領域と所定間隔を隔てて設けられ、所定の電圧が印加されるドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の領域の上部のドレイン領域側に配置された第1のゲート電極と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の領域の上部のソース領域側に配置された第2のゲート電極と、前記電荷転送層から前記ソース領域に信号電荷を蓄積する際に、前記第1のゲート電極に第1の電位を印加し、前記第2のゲート電極に前記第1の電位の絶対値よりも絶対値が大きい第2の電位を印加する電位印加手段とを備えた、電荷転送装置。
IPC (2)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平1-196175
  • 電荷転送装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-298793   Applicant：三菱電機株式会社
  • 特開昭63-202063
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