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J-GLOBAL ID：200903005179833066

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 中村 真記 ,  楠田 幸久
Applicant, Patent owner： 日本板硝子株式会社
Agent (1)： 大野 精市
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992308362
Publication number (International publication number)：1994163584
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 製造工程及び大面積化が容易であり、段差の無い薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 第1製造方法は、絶縁基板表面にゲル膜を塗布した後に凹部を形成して熱処理することにより絶縁膜を形成し、該凹部を含む絶縁膜表面に金属膜を成膜した後に該表面を研磨して凹部のみに金属膜を残存させるものである。第2製造方法は、金属材料のペースト状物を上記該絶縁膜表面の凹部に流し込んだ後に熱処理することにより、該凹部に金属膜を形成するものである。第3製造方法は、絶縁基板表面にレジストパターンを形成した後にエッチングして凹部を形成し、該凹部に金属膜を形成するものである。第4製造方法は、絶縁基板表面にレジストパターンを形成した後にエッチングして凹部を形成し、該絶縁膜表面の凹部にペースト状物を流し込んだ後に熱処理することにより、該凹部に金属膜を形成するものである。

Claim (excerpt)：

以下の工程を包含することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法:(A)絶縁基板の表面に、加水分解・縮合により絶縁物を形成する特性のゲル膜を塗布する工程、(B)前記ゲル膜表面に凹部を形成した後、該ゲル膜を乾燥・熱処理して前記絶縁基板表面に絶縁膜を形成する工程、(C)前記凹部を含む絶縁膜表面に金属膜を成膜する工程、(D)前記(C)工程で得られた絶縁膜表面を研磨して、前記凹部以外の金属膜を除去する工程、(E)前記(D)工程で得られた絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する工程。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500