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J-GLOBAL ID：200903005189227458
薄膜半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996355283
Publication number (International publication number)：1998189996
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタの閾値電圧を簡便かつ効率的に制御する。【解決手段】 薄膜半導体装置を製造する為に、まず絶縁基板1の上にゲート電極5を形成する。ゲート電極5を被覆する様にゲート絶縁膜4を形成する。ゲート絶縁膜4の上に半導体薄膜2を形成する。半導体薄膜2に不純物を選択的に注入してボトムゲート型の薄膜トランジスタを形成する。薄膜トランジスタに接続する配線を形成する。ゲート絶縁膜4を形成した後いずれかの段階で絶縁基板1に紫外線を照射して薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する。
Claim (excerpt)：
絶縁基板の上にゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極を被覆する様にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜の上に半導体薄膜を形成する工程と、該半導体薄膜に不純物を選択的に注入してボトムゲート型の薄膜トランジスタを形成する工程と、該薄膜トランジスタに接続する配線を形成する工程とを含む薄膜半導体装置の製造方法であって、該ゲート絶縁膜を形成した後いずれかの段階で、該絶縁基板に紫外線を照射して該薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する照射工程を行なうことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 627 F
