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J-GLOBAL ID：200903005189837043

半導体装置の製造方法

Inventor：
高橋 新吾

About 高橋 新吾


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004356633
Publication number (International publication number)：2006165378
Application date： Dec. 09, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：
【課題】Cu配線中にCuとは異なる金属材料を均一に拡散させたCu合金配線を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板11上の層間絶縁膜17に設けられた接続孔18に合金層を形成する半導体装置の製造方法であって、接続孔18の内壁を覆う状態で、第1のCu層20aを形成する第1工程と、第1のCu層20a上にAg層21を形成する第2工程と、Ag層21が設けられた状態の接続孔18を第2のCu層20bで埋め込む第3工程と、熱処理による拡散により、CuAg合金からなるヴィアを形成する第4工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基板上の絶縁膜に設けられた凹部に合金層を形成する半導体装置の製造方法であって、 前記凹部の内壁を覆う状態で、第1の金属材料を含む第1の金属材料層を形成する第1工程と、 前記第1の金属材料層上に、前記第1の金属材料とは異なる第2の金属材料を含む第2の金属材料層を形成する第2工程と、 前記第2の金属材料層が設けられた状態の凹部を前記第1の金属材料層で埋め込む第3工程と 熱処理による拡散により、前記第1の金属材料と前記第2の金属材料とからなる合金層を形成する第4工程とを有する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/288
FI (2)：
H01L21/88 R ,  H01L21/288 E
F-Term (43)：
4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB24 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104FF17 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ31 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-308036   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開平4-152632

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