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J-GLOBAL ID:200903005194504931

樹脂封止型半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999247518
Publication number (International publication number):2001077281
Application date: Sep. 01, 1999
Publication date: Mar. 23, 2001
Summary:
【要約】【課題】 樹脂封止後のリードカット工程でのブレード切断により、切断したリード部の端面に金属バリが発生するといった課題があった。【解決手段】 リードカットに用いるブレードに断面形状がV型のブレード13を用いてリードカットすることにより、リード部4の切断した端面部分へのカエリ部の発生を防止することができる。
Claim (excerpt):
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、前記リード部の切断部に対して、その断面形状がV型であるブレードによりフルカット切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 23/50 ,  H01L 23/12
FI (2):
H01L 23/50 R ,  H01L 23/12 L
F-Term (7):
5F067AA01 ,  5F067AA07 ,  5F067AA09 ,  5F067AB04 ,  5F067DB01 ,  5F067DE01 ,  5F067DE20

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